富豪“负了”丨2018胡润百富榜解析

图十四、富豪负富榜MCPEs的制备工艺（a）MCPEs的制备工艺的原理图。

（d）InSbNS的选择区域电子衍射图图二、润百InSbNSFETs的电性能（a）背栅InSbNSsFET的结构示意图。图四、解析P(VDF-TrFE)钝化InSbNS光电探测器的电性能（a）设备的光学和示意图。

为进一步提高探测器的光敏性，富豪负富榜作者利用铁电聚合物P(VDF-TrFE)对InSbNSs表面进行钝化处理，得到了高灵敏度的红外光探测器。润百（b）InSb光电探测器的响应度和探测率。解析（b）P(VDF-TrFE)钝化的InSbNS光电探测器的能带图。

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